Otsuka大塚电子分光干涉晶圆膜厚仪赋能半导体晶圆薄膜高精度无损检测

    随着半导体工艺不断向微缩化、多层复合膜方向发展，晶圆薄膜厚度与光学特性的精准检测，直接决定制程良率与产品可靠性。日本Otsuka大塚电子推出分光干涉晶圆膜厚检测设备，基于显微分光干涉反射原理，实现非接触、无损式晶圆薄膜检测，可同步解析膜厚、折射率 n、消光系数 k，兼顾研发实验室与工厂质检场景，为硅基、第三代半导体晶圆工艺提供可靠检测方案。
    MP研磨工艺中，需要精准管控研磨去除量，防止过度研磨损伤下层薄膜。GS‑300 晶圆膜厚系统可实现晶圆高速 Mapping 扫描，输出膜厚等高线分布图，直观查看晶圆中心、边缘区域厚度差异，对比研磨前后膜层变化，输出研磨工艺修正参数。

● 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测
● 采用分光干涉法实现高度检测再现性
● 可进行高速的即时研磨检测
● 可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测
● 可对应长工作距离、且容易安裝于产线或者设备中
● 体积小、省空間、设备安装简易
● 可对应线上检测的外部信号触发需求
● 采用适合膜厚检测的独自解析演算法。
● 可自动进行膜厚分布制图(选配项目)