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日本Otsuka大塚分光干涉晶圆膜厚仪
产品型号: SF-3/200
产品简介:

SF-3/200 是SF-3 系列超薄硅片专用型号,采用光纤分体分光干涉法,专为6~400μm 超薄晶圆开发,用于背面研磨 BG、临时键合、超薄功率器件、TSV 晶圆在线实时厚度闭环监控,单侧探头非接触无损检测,可集成研磨机腔体实现产线嵌入式量测。

详细介绍

Otsuka大塚电分光 干涉晶圆膜厚仪   SF-3/200


SF-3/200 是SF-3 系列超薄硅片专用型号,采用光纤分体分光干涉法,专为6~400μm 超薄晶圆开发,用于背面研磨 BG、临时键合、超薄功率器件、TSV 晶圆在线实时厚度闭环监控,单侧探头非接触无损检测,可集成研磨机腔体实现产线嵌入式量测。

1.超薄硅片专属量程 6μm 起测下限,专门应对 8 寸晶圆研磨后超薄硅片厚度管控,弥补大量程机型无法精准检测 < 100μm 薄硅片的短板。 2.高速机械手无漏检 微秒级高速采集,配合晶圆快速搬运、研磨动态过程实时监测,厚度变化瞬间捕捉,支持产线闭环自动调研磨压力 / 时间。 3.密闭设备轻松集成 主机放置设备外部,细长光纤探头伸入研磨、CMP、临时键合密闭腔体,不受粉尘、研磨液污染主机电路,安装布局灵活。 4.分层多层解析,临时键合晶圆专用 可同时测出粘接树脂层厚度 + 硅片基底厚度,解决临时贴合工艺无法分别管控胶层与硅片厚度的痛点。 5.杜绝超薄硅片碎裂风险 无压头、无物理接触,极薄 6μm 硅片不会受压形变、碎裂,大幅提升超薄晶圆制程良率。

规格概览

  1. 参数项目 SF-3/200 标准指标
    硅晶圆测量范围 6 ~ 400 μm(超薄减薄硅片专用)
    树脂 / 临时键合胶量程 10 ~ 1000 μm
    采样速率 *高 5kHz(单次采集仅 200μs,高速产线无延迟)
    测量光斑直径 φ20~27μm,微小区域单点检测
    测量重复精度 ≤±0.01%,长期连续测量数据稳定无漂移
    探头工作距离 WD 可选 50/80/120/150/200mm,适配密闭腔体安装
    光源类型 3B 类宽光谱半导体光源
    通讯接口 LAN 以太网 TCP/IP、数字 I/O 信号端子,对接 PLC / 机械手
    供电规格 DC24V 主机供电(配套 AC 电源适配器选配)
    整机外形尺寸 W123 × D224 × H128 mm,小型紧凑易嵌入设备腔体
    解析能力 支持多层分层测厚,可区分临时键合胶 + 硅片双层厚度
  2. 标配附

膜厚仪主机

电源线

使用说明书

适配场景

显示面板行业
光学薄膜卷材
精密光学元件

配件

标准校准片

偏振光学测量模块

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